SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：32KB。
E2PROM容量：32KB。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.5A/點(diǎn)；4A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能Q1MEM-64S
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)超高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。輸入電壓范圍：AC100-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。

自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。